[发明专利]一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法无效
| 申请号： | 200810050587.1 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101257064A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 蒋大勇;张吉英;申德振;姚斌;赵东旭;张振中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 王淑秋 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，通过交流磁控溅射制备不同带隙宽度(3.37～4.13eV)的高质量MgZnO合金薄膜，并在此基础上通过真空热蒸发和湿法刻蚀的方法制备MSM结构电极的MgZnO紫外光电探测器。采用本发明制备的MgZnO紫外光电探测器具备高的紫外可见比和较低的暗电流等优点，适用于太阳紫外线辐射监控、火焰探测、导弹预警等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mgzno 紫外 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，其特征在于包括下列步骤：a.使用交流磁控溅射台，在衬底温度为300～600℃条件下，对Mg摩尔浓度为5％～40％的MgZnO合金靶进行溅射，制备出MgZnO合金薄膜；b.通过真空热蒸发的方法，在已制备的MgZnO合金薄膜上蒸镀Au膜。c.制备金属-半导体一金属结构的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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