[发明专利]钇铁石榴石薄膜结构及制备方法无效
| 申请号： | 200810044302.3 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101311374A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杨青慧;张怀武;刘颖力;文岐业;李元勋;贾利军;唐晓莉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B23/08;H01F10/24;H01F41/28 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 钇铁石榴石薄膜结构，属于电子材料领域，它特别涉及钇铁石榴石薄膜材料的射频磁控溅射制备方法。本发明包括Si基片和其上的钇铁石榴石薄膜层，在Si基片和钇铁石榴石薄膜层之间还有CeO2过渡层。本发明具有以下优点：薄膜的表面得到很大程度的改善，表面粗糙度明显减小。薄膜的饱和磁化强度和剩余磁化强度提高，矫顽力下降。 | ||
| 搜索关键词： | 铁石 薄膜 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、钇铁石榴石薄膜结构，包括Si基片和其上的钇铁石榴石薄膜层，其特征在于，在Si基片和钇铁石榴石薄膜层之间还有CeO2过渡层。
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