[发明专利]OTP器件结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种OTP器件结构，OTP器件包括晶体管区域和电容区域，晶体管区域包含晶体管有源区，电容区域包括浮栅以及位于浮栅两侧的电容有源区，还包括位于浮栅下方两侧，相互分离且分别包含所述电容有源区的两个额外离子注入区域，额外离子注入区域部分位于浮栅下方。本发明的OTP器件的制备方法，为在有源区注入之前，先利用光刻工艺定义出离子注入区域，后进行额外离子注入，之后进行退火使额外离子注入区域横向扩散。本发明的OTP器件，编程电流增加，编程速度加快，且使浮栅电流峰值变化变缓，降低对编程电压的精度要求，并减少工艺偏差对编程效果的影响。

主权项

一种OTP器件结构，所述OTP器件包括晶体管区域和电容区域，所述晶体管区域包含晶体管有源区，所述电容区域包括浮栅以及位于浮栅两侧的电容有源区，其特征在于：还包括位于浮栅下方两侧，相互分离且分别包含所述电容有源区的两个额外离子注入区域，所述额外离子注入区域部分位于浮栅下方，所述额外离子注入区域的注入离子类型与电容有源区的离子类型相同，所述额外离子注入区域的离子浓度小于电容有源区的离子浓度。