[发明专利]CMOS图像传感器制造方法及CMOS图像传感器

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，其后段工艺中先在感光层之上淀积一层阻挡层，然后进行PMD淀积、平坦化、光刻、刻蚀，将位于感光二极管上方的PMD刻蚀掉并停止在阻挡层上，然后淀积一层高折射率介质层，再进行平坦化，并且保持总的厚度基本不变，后续的工艺同传统工艺一致；其他IMD的做法同PMD类似，但不需要淀积阻挡层。本发明还公开了一种CMOS图像传感器，在硅衬底之上分布有感光二极管的感光层之上为一阻挡层，在阻挡层之上覆盖有介质层，其中感光二极管对应上方的介质层为较常规介质层折射率高的高折射率介质层，其它部分的介质层为常规介质层。本发明能避免CMOS图像传感器的像素产生“光互扰”，提高像素的响应角度。

主权项

一种CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，其后段工艺包括以下步骤：步骤一.在分布有感光二极管的感光层之上淀积一层阻挡层；步骤二.在上述阻挡层之上进行常规介质的金属前介质层淀积和平坦化；步骤三.对常规介质的金属前介质层进行光刻和刻蚀，将位于感光二极管上方的常规介质的金属前介质层刻蚀掉，停止在阻挡层上；步骤四.淀积较常规介质折射率高的高折射率介质层；步骤五.将该高折射率介质层平坦化，并且保持总的厚度与上述平坦化后的常规介质的金属前介质层厚度相等；步骤六.完成金属前介质层上的后续工艺；步骤七.进行常规介质的金属层间介质层淀积和平坦化；步骤八.对常规介质的金属层间介质层进行光刻和刻蚀，将位于感光二极管上方的常规介质的金属层间介质层刻蚀掉；步骤九.淀积较常规介质折射率高的高折射率介质层；步骤十.将该高折射率介质层平坦化，并且保持总的厚度与上述平坦化后的常规介质的金属间介质层厚度相等；步骤十一.完成金属层间介质层上的后续工艺；步骤十二.重复步骤七～步骤十一，直到最后一层金属层完成。