[发明专利]高速互补单元相变存储器无效
| 申请号： | 200810040951.6 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101329908A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;富聪;陈邦明;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种高速互补单元相变存储器，所述存储器中每个存储单元有两个用于存储信息的元器件，且该元器件具有被编写能力；通过这两个元器件的电阻大小相互比较，作为划分不同存储状态的依据。本发明的高速互补单元相变存储器可以加快存储器读出速度，增加读出裕量，并且减小读电流或电压的累积效应以及工艺，版图布局对相变存储器的影响。同时，还可以减小多次读操作或写操作后，相变单元上电阻的改变对正确读出存储数据的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 互补 单元 相变 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种高速互补单元相变存储器，其特征在于：所述存储器中每个存储单元有两个用于存储信息的元器件，且该元器件具有被编写能力；通过这两个元器件的电阻大小相互比较，作为划分不同存储状态的依据。
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