[发明专利]一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案无效
| 申请号： | 200810040931.9 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101359502A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;吴雨欣;张佶;薛晓勇;徐乐;胡倍源;廖启宏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高密度 相变 存储器 存储 方案 | ||
【主权项】：
1、一种操作多值相变存储器的方法，其特征为：以比值为导向来定义不同的状态，即采用一个存储单元中一条位线上的相变存储电阻的阻值与其互补位线的阻值的比值的不同来区分不同的存储状态。
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