[发明专利]编程电压控制的复位闪存无效

专利信息
申请号: 200810040233.9 申请日: 2008-07-04
公开(公告)号: CN101339949A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 曹子贵;张博 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 屈蘅
地址: 201203上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种编程电压控制的复位闪存,其包括:第一交界区域和第二交界区域,位于基底的两端,第三交界区域,位于基底中间,第一源极和第二源极,与基底相连,交界处分别位于第一交界区域和第二交界区域的中间位置,漏极与基底相连,交界处位于第三交界区域的中间位置,三栅处于所述第一源极和所述漏极之间,本发明由编程进入浮栅电荷的多少来实现信息的存储,从而解决了工艺上所遇到的瓶颈。
搜索关键词: 编程 电压 控制 复位 闪存
【主权项】:
1.一种编程电压控制的复位闪存,其特征在于包括:第一交界区域和第二交界区域,位于基底的两端,第三交界区域,位于所述基底中间;第一源极和第二源极,与所述基底相连,交界处分别位于所述第一交界区域和所述第二交界区域的中间位置;漏极与所述基底相连,交界处位于所述第三交界区域的中间位置;第一区域三栅,包括第一控制栅、第一浮栅和第一可编程栅,所述第一区域三栅皆处于所述第一源极和所述漏极之间,所述第一控制栅位于所述第一浮栅的一侧,所述第一控制栅与所述第一浮栅皆和所述基底相连,所述第一可编程栅和所述第一浮栅相连;第二区域三栅,包括第二控制栅、第二浮栅和第二可编程栅,所述第二区域三栅皆处于所述第二源极和所述漏极之间,所述第二控制栅位于所述第二浮栅的一侧,所述第二控制栅与所述第二浮栅皆和所述基底相连,所述第二可编程栅和所述第二浮栅相连。
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