[发明专利]基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法无效
| 申请号： | 200810036912.9 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101281989A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 石艳玲;李曦;温秀芝;陈寿面;王勇 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01P3/00 | 分类号： | H01P3/00;H01P11/00;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法。所述共平面波导包括SOI衬底，形成在SOI衬底上的二氧化硅层，以及形成在二氧化硅层上且间隔排列的地线和信号线，其中，相邻地线和信号线之间的间隔带上开设有沿地线和信号线走向的腐蚀孔带，且腐蚀孔带的下方形成条形凹槽。本发明还相应给出了上述基于SOI衬底的共平面波导的制作方法。采用本发明的基于SOI衬底的共平面波导可在不增加共平面波导尺寸和不引起其它损耗增加的前提下，降低介质的有效介电常数，从而减小介质损耗，提高传输特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 衬底 平面 波导 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于绝缘衬底硅(SOI)衬底的共平面波导，所述共平面波导包括SOI衬底，形成在SOI衬底上的二氧化硅层，以及形成在二氧化硅层上且交替排列的地线和信号线，其特征在于：相邻地线和信号线之间的间隔带上开设有沿地线和信号线走向的腐蚀孔带，且腐蚀孔带的下方形成条形凹槽。
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