[发明专利]一种低衰减高效率区融硅太阳能电池加工方法

摘要

本发明涉及一种低衰减高效率区融硅太阳能电池加工方法，其步骤是：第一步，表面结构处理；第二步，扩散；第三步，刻蚀；第四步，湿氧；第五步，PECVD沉积；第六步，印刷；第七步，烧结。它主要解决上述现有原材料和技术中所存在的缺陷，经过处理，太阳能电池的输出功率有了明显的提高，同时降低其衰减。

主权项

1、一种高效低衰减区融硅太阳能电池的加工方法，其特征在于它包括如下步骤：第一步，表面结构处理，即在硅片表面制作金字塔结构，降低光的反射；第二步，扩散，即在第一步完成好的硅片表面进行p-n结制作和表面湿氧处理；第三步，刻蚀，即将第二步完成的硅片进行边缘处理，保证光生电流的输出；第四步，湿氧，即在第三步完成的硅片表面进行氧化，提高其稳定性；第五步，PECVD沉积，即在第四步中做好的硅片进行氮化硅沉积；第六步，印刷，即在第五步做好的硅片上下表面进行电极制作，保证光生电流的收集；第七步，烧结，即将第六步完成的硅片进行高温处理，保证电极和硅片良好的欧姆接触，提高转化效率。