[发明专利]含空间位阻基团的超支化聚芴材料及其制备方法无效
申请号: | 200810034029.6 | 申请日: | 2008-02-28 |
公开(公告)号: | CN101245131A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 韦玮;覃春杨;王洪宇;鲁家豹;林建明;汤多峰 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C08G61/00 | 分类号: | C08G61/00;C09K11/06;H05B33/14;H01L51/00;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于有机光电功能材料技术领域,具体为一类含空间位阻基团的超支化聚芴材料及其制备方法。该类材料是在超支化聚芴结构基础上,引入高位阻的基团,使得聚合物分子链高度扭曲,有效地抑制分子间聚集,避免形成激基缔合物而带来的荧光猝灭,从而提高材料的发光效率。该类材料作为具有高的氧、热、光稳定性的有机发光材料,可广泛用于有机/聚合物电致发光、光伏电池、有机场效应管和激光等有机电子领域。 | ||
搜索关键词: | 间位 基团 超支 化聚芴 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一类含空间位阻基团的超支化聚芴材料,其特征在于具有如下结构:
式中:Ar1是超支化聚合物的支化核,为以下基团中的一种:
Ar2与芴基团是超支化聚合物的支化臂,Ar2为以下基团中的一种:
其中*为结构单元之间的连接点。
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