[发明专利]晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置

摘要

一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置，其特点是由激光源、分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成，本发明可以为多晶硅薄膜的制备的同时进行在线检测，为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量密度，所述的检测为非破坏性测试，具有测试成本低、检测快捷等优点；更重要的是，本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度，提高优良率并增加产能。适用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测，可精确检测晶粒大小并对激光能量密度实时监控。

主权项

1、一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置，其特征在于由激光源(1)、分光器(2)、光束整形系统(4)、多晶硅薄膜基片(5)、光学聚焦系统(7)、受激拉曼光谱接收系统(8)、拉曼数据分析并反馈系统(9)和移动工作台组成，各部件的位置关系如下：所述的多晶硅薄膜基片(5)置于所述的移动工作台上，所述的激光源(1)输出的激光束被分光器(2)分成第一光束(3)和第二光束(6)，所述的第一光束(3)经光束整形系统(4)后扫描在移动工作台上的多晶硅薄膜基片(5)进行激光退火，所述的第二光束(6)经所述的光学聚焦系统(7)照射在经过激光退火的多晶硅薄膜基片(5)，激发已退火的多晶硅的拉曼光谱并被所述的受激拉曼光谱接收系统(8)接收，然后由拉曼数据分析并反馈系统(9)进行数据处理并反馈至激光源(1)，控制激光源(1)输出激光的功率，以调整激光能量密度及其稳定性。