[发明专利]多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法

摘要

本发明涉及一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法，特别是一种X射线、γ射线室温核辐射探测器的制备方法，属半导体探测器制备工艺技术领域。该探测器的制备方法是：先将在衬底基片上制得的由柱状晶粒组成的多晶薄膜进行机械粗抛光、细抛光、表面化学腐蚀、清洗，晾干各工序，然后采用掩膜板蒸镀电极，最后对探测器进行封装和安装固定。本发明制得的探测器在室温下具有优秀的X射线、γ射线能量分辨率。

主权项

1. 一种多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法，其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：a.多晶碘化汞薄膜的表面处理：首先选取由完整的柱状晶粒排列在衬底基片上而成的多晶碘化汞薄膜，用细沙皮纸对薄膜进行机械粗抛光，然后用绸布进行机械细抛光；经机械细抛光后，用10-20℃的10-20％KI溶液进行1-3分钟的化学腐蚀抛光；然后再用绸布进行机械细抛光，用10-20℃的5-15％KI溶液进行1-3分钟的化学腐蚀抛光；随后用18MΩ的去离子水反复冲洗数次，在清洁的空气中晾干，并暴露24小时；b.探测器电极的制备：将表面处理好的多晶碘化汞薄膜放入真空镀膜机，通过掩膜板在多晶碘化汞薄膜和衬底上蒸镀金电极，蒸发源和多晶碘化汞薄膜之间的距离为5-10厘米，蒸镀时真空度为3.0-5.0×10-3Pa；c.封装和安装：制备好电极后，分别从衬底电极和上电极粘接直径约30μm的钯丝引出线；电极制作完成后，在上电极和碘化汞薄膜的上表面蒸涂上一层保护膜；保护膜材料为电阻率大于1014Ω·cm、击穿电压17-25KV/mm的硅橡胶；然后把用保护膜封装好的部分用环氧树脂粘结固定在聚四氟乙烯基座上；而后将钯丝引至外电路，焊接在外引线上，并将外引线从基座下方引出并固定；最后安装开有窗口的铝壳作为探测器的外壳。