[发明专利]一种保护等离子刻蚀设备中的下电极部件的方法及装置有效
| 申请号： | 200810033365.9 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101498940A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 曾最新;李大勇;季鹏联;张锐;沈卓敏;杨涛;吕睿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G05D3/12 | 分类号： | G05D3/12;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 罗 朋 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 等离子刻蚀是集成电路制造中的关键工艺之一，等离子刻蚀设备用于晶圆的等离子刻蚀，其下电极部件经常会遭到损坏。本发明涉及一种保护所述下电极部件的方法和对应的旋转控制装置。旋转控制装置通过将其中的待刻蚀的晶圆按预定信息进行旋转，将晶圆上的缺口(notch)旋转到预定安全区域中的特定位置，从而有效防止刻蚀中由于所述缺口进入非安全区域所引起的所述下电极部件损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 等离子 刻蚀 设备 中的 电极 部件 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种在半导体制程中用于保护等离子刻蚀设备中的下电极部件的方法，其特征在于，一次晶圆刻蚀过程包括以下步骤：a. 检测放置在旋转控制装置中的晶圆上的缺口对应的缺口初始角度值；b. 根据所述缺口初始角度值与预定刻蚀安全区域的信息，并基于预定策略来确定调整角度值，根据所述调整角度值对所述晶圆旋转，可使得所述晶圆上的缺口旋转到所述预定刻蚀安全区域中的特定位置；c. 根据所述调整角度值，对所述晶圆进行旋转。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810033365.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直接散热式计算机机箱
- 下一篇：港机透明监控设备
