[发明专利]一种双栅氧器件的栅极侧墙制造方法

摘要

本发明提供了一种双栅氧器件的栅极侧墙制造方法，该双栅氧器件具有厚、薄栅氧MOS管，该栅极侧墙包括厚、薄栅氧侧墙，其分别制作在厚、薄栅氧栅极两侧，其中，该厚栅氧侧墙包括内偏移侧墙和外侧墙。现有技术中双栅氧器件的栅极侧墙未使用内偏移侧墙，而致使厚栅氧MOS管的漏电流以及栅极与源漏极间的电容均较大，并致使该双栅氧器件的电性能劣化。本发明先沉积第一侧墙介质层并去除薄栅氧MOS管对应的有源区的第一侧墙介质层；再通过干法刻蚀形成内偏移侧墙；然后进行轻掺杂漏注入工艺；最后沉积第二侧墙介质层并通过干法刻蚀形成薄栅氧侧墙和厚栅氧侧墙的外侧墙。本发明可减小厚栅氧MOS管的漏电流及其栅极与源漏极间的电容，并可改善双栅氧器件的电性能。

主权项

1、一种双栅氧器件的栅极侧墙制造方法，该双栅氧器件具有厚栅氧MOS管和薄栅氧MOS管，该栅极侧墙包括厚栅氧侧墙和薄栅氧侧墙，其分别制作在厚栅氧栅极和薄栅氧栅极两侧，该厚栅氧侧墙包括内偏移侧墙和外侧墙，其特征在于，该栅极侧墙制造方法包括以下步骤：a、沉积第一侧墙介质层；b、涂布光刻胶并光刻出薄栅氧MOS管对应的有源区图形；c、通过湿法刻蚀工艺去除未被光刻胶遮蔽的第一侧墙介质层；d、去除光刻胶且重新涂布光刻胶，并光刻出厚栅氧MOS管对应的有源区图形；e、通过干法刻蚀工艺形成内偏移侧墙；f、去除光刻胶并进行轻掺杂漏注入工艺；g、沉积第二侧墙介质层并通过干法刻蚀工艺形成薄栅氧侧墙和厚栅氧侧墙的外侧墙。