[发明专利]激光二极管及其制造方法和生产线无效

专利信息
申请号: 200810025796.0 申请日: 2008-01-14
公开(公告)号: CN101247024A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 谌红艳 申请(专利权)人: 谌红艳
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022;H01S5/00
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 温旭
地址: 519001广东省珠海市香*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种激光二极管及其制造方法和生产线。本发明要解决的技术问题是如何克服现有技术偏见,提供一种激光二极管及其制造方法和生产线。本发明激光二极管的制造方法的特征在于:在基座上加装保护罩后,测试、包装前将基座含定位凹槽的外缘部分冲切掉,从而达到缩小其径向尺寸的目的。本发明激光二极管生产线的特征在于:包括冲切单元,其冲刀外径略大于待加工激光二极管的保护罩的外径。本发明激光二极管的特征在于:含定位凹槽的外缘部分被冲切掉,保护罩与基座外径大致相当,呈柱状。本发明广泛适用于激光二极管的相关生产、应用领域。
搜索关键词: 激光二极管 及其 制造 方法 生产线
【主权项】:
1、一种激光二极管的制造方法,包括下述步骤:①、制作带定位凹槽的基座;②、在基座上安装管芯、接脚;③、在基座上加装保护罩;④、测试、包装,其特征在于:在第③步之后,第④步之前将基座含定位凹槽的外缘部分冲切掉,从而达到缩小其径向尺寸的目的。
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