[发明专利]表面加工多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试方法无效

专利信息
申请号: 200810024481.4 申请日: 2008-03-21
公开(公告)号: CN101246136A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 黄庆安;胡冬梅;李伟华 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N25/16 分类号: G01N25/16;G01N27/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 211109江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 表面加工多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试方法是基于双端固支梁(1)的吸合现象提出的,根据双端固支梁(1)加热前后两次吸合电压的变化可得到电流加热后双端固支梁(1)中产生的热应力值;而根据示波器记录的加热过程中双端固支梁(1)两端电压的变化曲线,得到加热后双端固支梁(1)上温度的变化值;最后,根据得到的热应力值和双端固支梁(1)上的温度变化值,利用关系式就可以计算得到多晶硅薄膜的热膨胀系数。
搜索关键词: 表面 加工 多晶 薄膜 热膨胀 系数 测试 方法
【主权项】:
1、一种表面加工多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试方法,其特征是:基于双端固支梁(1)的吸合现象,在线提取出多晶硅薄膜的热膨胀系数,测试方法如下:第一步,先在双端固支梁(1)和多晶硅衬底(2)间加电压,测得双端固支梁(1)发生吸合时的吸合电压值;第二步,待双端固支梁(1)恢复到初始状态后,在双端固支梁(1)中通以一恒定电流,用示波器记录下双端固支梁(1)两端电压的变化曲线,并且在双端固支梁(1)受热最终达到热稳态后,测得其发生吸合时的吸合电压值;第三步,根据前后两次吸合电压值的变化得到电流加热后双端固支梁(1)中产生的热应力值,而根据示波器记录的双端固支梁(1)两端电压的变化曲线,得到加热后双端固支梁(1)上温度变化值;第四步,根据得到的热应力值和双端固支梁(1)上的温度变化值,利用关系式:αT=-σthEΔT,可得到多晶硅薄膜的热膨胀系数,其中:αT是多晶硅薄膜的热膨胀系数,σth是热应力值,E′是等效杨氏模量,ΔT是温度变化值。
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