[发明专利]一种基于巨磁阻技术的高精度弱磁场传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 200810020450.1 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101526590A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王莹;李素云 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/08;H01L43/12;H01F1/053 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纵向结构的巨磁阻传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有三明治结构巨磁阻薄膜(4)，特别是巨磁阻薄膜(4)外套装有线圈(8)，线圈(8)和巨磁阻薄膜(4)均由外层绝缘柱(7)裹覆；方法为先后分别多次使用掩模、光刻或离子刻蚀、直流磁控溅射、射频磁控溅射或等离子增强化学气相淀积、半导体薄膜加工工艺于基片上进行刻制、溅射和生成出线圈金属环(5)、金属短棒(6)，金属环(5)、金属短棒(6)周期性排列构成巨磁阻薄膜(4)外置线圈，工作时，恒定电流从电流流入端I流入微线圈，从电流流出端II流出，从而为巨磁阻薄膜(4)提供高精度的偏置磁场，结合巨磁阻薄膜(4)相应度高的特点，利用上述原理制备的纵向结构的巨磁阻传感器具有高的精度和灵敏度，结构简单，易于工业化生产的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁阻 技术 高精度 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纵向结构的弱磁场传感器，包括基片和其上的铁磁体，其特征在于：(a)所说巨磁阻材料为金属合金巨磁阻抗三明治结构(即铁磁层/导电层/铁磁层或者是铁磁层/绝缘层/导电层/绝缘层/铁磁层)多层薄膜结构，铁磁体为≥两层，所说每两层铁磁体中夹裹有导电层，其中，铁磁体包含非晶或纳米晶的软磁合金单层膜，其组分可以是铁钴硅硼(FeCoSiB)或钴硅硼(CoSiB)或铁铜铌硅硼(FeCuNbSiB)，导电层是具有高电导率的导体材料包含金属金或金属银或金属铜或上述金属组成的合金材料；(b)所说金属合金巨磁阻抗三明治结构外置有线圈。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学，未经安徽大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810020450.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于控制器的串口在线仿真调试系统及方法
- 下一篇：一种高效节能型气体增压机
