[发明专利]单晶铜键合丝的制备方法无效
| 申请号： | 200810017812.1 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101524721A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 丁雨田;曹军;胡勇;许广济;寇生中 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学 |
| 主分类号： | B21C1/00 | 分类号： | B21C1/00;C22F1/08;C22B15/14;B22D27/04;C30B29/02;C30B11/00 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 董 斌 |
| 地址： | 730050*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆，然后冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm，拉丝时温度为35～45℃，将单晶铜键合丝表面采用超声波清洗，将清洗后的单晶铜键合丝进行热处理，采用H2+Ar2保护，温度为410～425℃，时间为0.7～2.0s，退火复绕时的张力为0.6～2.8g。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶铜键合丝 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：A、采用真空度为10-210-4MPa高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用纯度为过于99.99％高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆；B、将拉制成的高纯度单晶铜杆冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，拉拔速度控制在40～60m/min；然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm；拉制速度为400～600m/min；0.5mm以上模具表面粗糙度Ra为0.025，0.5mm以下模具表面粗糙度Ra高于0.025；保持拉丝塔轮、导向轮、收线盘等部件高度光洁，表面粗糙度Ra高于0.025；拉丝润滑剂采用水溶性润滑剂，浓度为0.4～0.8％，拉丝时温度为35～45℃；C、将上步骤拉制成的单晶铜键合丝表面清洗采用超声波清洗，清洗介质采用无水酒精，超声波功率40～80W，频率20～40KHz；D、将清洗后的单晶铜键合丝在退火复绕设备上进行热处理，热处理过程中采用H2+Ar2保护，其热处理温度为410～425℃，热处理时间为0.7～2.0s，保护气体流量为H2 0.3～0.6L/min、Ar2 0.4～0.65L/min；退火复绕时的张力为0.6～2.8g；E、将热处理后的单晶铜键合丝采用真空吸塑包装，真空度为10-3～10-4Mpa。
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