[发明专利]饱和光学器件有效

专利信息
申请号: 200780018200.8 申请日: 2007-05-23
公开(公告)号: CN101449195A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 里吉斯·S·凡;爱德华·R·道斯基;肯尼思·S·库贝拉 申请(专利权)人: 全视CDM光学有限公司
主分类号: G02B27/00 分类号: G02B27/00;G02B5/32;G03H1/22
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 朦;王艳春
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种成像系统,其包括用于接收电磁能量并根据所接收的电磁能量生成抽样数据的探测器。该探测器由阈值点表征,使得该抽样数据处于如下两种状态之一:i)当所接收的电磁能量的强度小于阈值点,该抽样数据低于阈值;ii)当该电磁能量的强度小于阈值点,该抽样数据高于阈值。该成像系统还包括用于提供抽样数据特征的饱和光学器件,其中,该抽样数据在小于阈值时的特征不同于该抽样数据大于阈值的特征。
搜索关键词: 饱和 光学 器件
【主权项】:
1. 一种用于对电磁能量进行成像的成像系统,包括:探测器,其用于接收所述电磁能量并根据所接收的所述电磁能量生成抽样数据,所述探测器由阈值点来表征,使得所述抽样数据处于两个状态中的一个:i)当所接收的所述电磁能量的强度小于所述阈值点时,所述抽样数据低于阈值;ii)当所述电磁能量大于所述阈值点时,所述抽样数据高于阈值;以及饱和光学器件,其用于提供所述抽样数据的特征;其中,所述抽样数据低于阈值时的特征不同于当所述抽样数据高于阈值时的特征。
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