[实用新型]场效应管过压保护电路及具有所述电路的电器设备无效
| 申请号： | 200720157658.9 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN201156544Y | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王松丽;黄勇;高金年 | 申请（专利权）人： | 青岛海信电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/62;H02H7/20 |
| 代理公司： | 青岛联智专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 邵新华 |
| 地址： | 266100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种场效应管过压保护电路，包括场效应管和与其连接的外围电路，其中，在所述场效应管的源极与栅极之间连接有第一分压电阻，当所述场效应管为N沟道场效应管时，其源极通过第二分压电阻接地或通过第二分压电阻与开关电路的开关通路接地；当所述场效应管为P沟道场效应管时，其栅极通过第二分压电阻接地或通过第二分压电阻与开关电路的开关通路接地；所述开关电路的控制端接收开关控制信号。本实用新型又公开了一种应用该过压保护电路的电器设备，结构简单，易于实现，有效避免了由于场效应管的栅极与源极之间电压过高所造成的器件损坏等故障，对其内部电路实现了有效保护，有利于提高电器设备运行的稳定性以及整机的性能品质。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 保护 电路 有所 电器设备 | ||
【主权项】：
1、一种场效应管过压保护电路，包括场效应管和与其连接的外围电路，其特征在于：所述场效应管为P沟道场效应管，在其源极与栅极之间连接有第一分压电阻，其栅极通过第二分压电阻接地或通过第二分压电阻与开关电路的开关通路接地，所述开关电路的控制端接收开关控制信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
