[实用新型]电路修改制作结构无效
| 申请号： | 200720075051.6 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN201112374Y | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈进来 | 申请（专利权）人： | 宜硕科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288;H01L23/532;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京中北知识产权代理有限公司 | 代理人： | 段秋玲 |
| 地址： | 201103上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种电路修改制作结构，包括在基材上对应所选取各电极形成之各接触孔洞内分别沉积形成导电桥墩，于该导电桥墩上利用导电黏稠材料连接形成导电桥面。所述的基材可以为集成电路；所述的导电黏稠材料可以为导电胶；导电黏稠材料下可放置有绝缘材料；导电黏稠材料下放置之绝缘材料可以为绝缘胶，也可以为二氧化硅。这样本实用新型提供集成电路设计者直接对集成电路进行电路修改制作，并可降低阻值、制作成本、作法简便(不用抽真空溅镀或蒸镀，也不用泡电镀液)及降低离子轰击伤害，从而更具实用功效。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 修改 制作 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电路修改制作结构，包括在基材上对应所选取各电极形成之各接触孔洞内分别沉积形成导电桥墩，其特征在于：于该导电桥墩上利用导电黏稠材料连接形成导电桥面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜硕科技(上海)有限公司，未经宜硕科技(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200720075051.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
