[发明专利]半导体存储器件及其修复方法有效
| 申请号： | 200710198999.5 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202116A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李奉镕;李宪奎;金光洙;权相烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括主单元阵列区，在主单元阵列区的一侧形成的第一冗余单元阵列区和第一虚拟单元阵列区，以及在主单元阵列区的另一侧形成的第二冗余单元阵列区和第二虚拟单元阵列区。该第一冗余单元阵列区包括第一冗余位线，以及该第一虚拟单元阵列区包括第一虚拟位线。该第二冗余单元阵列区包括第二冗余位线，以及该第二虚拟单元阵列区包括第二虚拟位线。第一和第二冗余单元阵列区被布置为比第一和第二虚拟单元阵列区更靠近主单元阵列区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：包括主位线的主单元阵列区；包括第一冗余位线的第一冗余单元阵列区和包括第一虚拟位线的第一虚拟单元阵列区，该第一冗余单元阵列区和该第一虚拟单元阵列区形成在所述主单元阵列区的一侧；以及包括第二冗余位线的第二冗余单元阵列区和包括第二虚拟位线的第二虚拟单元阵列区，该第二冗余单元阵列区和该第二虚拟单元阵列区形成在所述主单元阵列区的另一侧，其中，该第一和第二冗余单元阵列区被布置为比第一和第二虚拟单元阵列区更靠近所述主单元阵列区。
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