[发明专利]一种纯化硅的方法无效
申请号: | 200710196564.7 | 申请日: | 2007-11-29 |
公开(公告)号: | CN101240449A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 罗应明 | 申请(专利权)人: | 晶湛(南昌)科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/00;C01B33/037 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭广迅 |
地址: | 330013江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种纯化硅的方法,其特征在于,将硅原料加料入单晶炉中熔融后进行提拉来提纯得到太阳能级单晶棒,其中利用单晶炉抽真空设施隔离空气,在提拉晶体硅的过程中全程抽真空,和提拉晶体硅的速度是常规的单晶提拉速度的1.5-2倍。本发明的优点是:充分利用传统工艺设备单晶炉加以改造,就能达到大幅度降低能耗和提升产能;其工艺步骤少,操作简单,适用于任何型式的单晶炉。 | ||
搜索关键词: | 一种 纯化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纯化硅的方法,其特征在于,将硅原料加料入单晶炉中熔融后进行提拉来提纯得到太阳能级单晶棒,其中利用单晶炉抽真空设施隔离空气,在提拉晶体硅的过程中全程抽真空,和提拉晶体硅的速度是常规的单晶提拉速度的1.5-2倍。
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