[发明专利]多芯片封装结构与其形成方法无效

专利信息
申请号: 200710193365.0 申请日: 2007-12-10
公开(公告)号: CN101197356A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 杨文焜;余俊辉;周昭男;林志伟;黄清舜 申请(专利权)人: 育霈科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种多芯片封装结构与其形成方法,使用一取放(pick andplace)机具将一第一芯片尺寸封装(CSP)置于一含有第二晶粒的基座上以获得一比原芯片尺寸封装更合适的堆迭式芯片尺寸封装(stacking package)结构。此封装结构的尺寸比传统堆迭式封装来的大,且其覆晶封装(flip chip)的终端引脚(terminal pin)可分布在LGA式封装的周边或是分布在BGA式封装的阵列上。本发明可以改变封装尺寸,提高散热性,并规避了信号干扰等问题。
搜索关键词: 芯片 封装 结构 与其 形成 方法
【主权项】:
1.一种半导体元件封装结构,该结构包含:一基底;一第一晶粒黏在所述基底上;一第一封胶材料在所述第一晶粒周围形成;一第一重布层形成在所述第一封胶材料与所述第一介质层上以连接所述第一晶粒上的第一接垫;一第二晶粒;一第二重布层形成在所述第二晶粒上以连接所述第二晶粒上的第二接垫;复数个锡球连接到所述第一重布层与第二重布层;及一第二封胶材料形成在所述第二晶粒周围,其中所述第二封胶材料含有通孔结构穿过其中,所述通孔结构连接到所述第一重布层。
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