[发明专利]电子级高纯钼粉的还原制备方法无效

专利信息
申请号: 200710191960.0 申请日: 2007-12-27
公开(公告)号: CN101214552A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 汪涛;陶杰;潘蕾;骆心怡 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: B22F9/22 分类号: B22F9/22
代理公司: 南京苏高专利商标事务所 代理人: 柏尚春
地址: 210016*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种电子级高纯钼粉的还原制备方法,属钼粉还原方法。它采用纯度≥98%的纯钼舟皿为还原物料容器,在露点低于-30℃、含氧量低于0.1ppm的高纯氢气气氛中还原高纯钼酸盐或者钼的氧化物,制备高纯钼粉。采用纯钼舟皿为还原容器,避免了高纯钼粉还原过程中常用镍、镍铬系合金还原舟皿氧化所带来的铁、镍及铬等杂质;并通过控制氢气中的水蒸气和氧含量,避免了高纯钼舟在还原过程中的氧化“塌边”,大大提高了高纯钼舟的使用寿命。应用于电子、显示以及相关行业的高纯钼粉的还原方法。
搜索关键词: 电子 高纯 还原 制备 方法
【主权项】:
1.一种电子级高纯钼粉的还原制备方法,其特征在于,采用纯度≥98%的纯钼舟皿为还原物料容器,在露点低于-30℃和含氧量低于0.1ppm的高纯氢气气氛中以及在氢气还原温区为400℃~1200℃的条件下,还原高纯钼酸盐或者钼的氧化物,制备电子级高纯钼粉。
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