[发明专利]电子级高纯钼粉的还原制备方法无效
申请号: | 200710191960.0 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101214552A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 汪涛;陶杰;潘蕾;骆心怡 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | B22F9/22 | 分类号: | B22F9/22 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210016*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种电子级高纯钼粉的还原制备方法,属钼粉还原方法。它采用纯度≥98%的纯钼舟皿为还原物料容器,在露点低于-30℃、含氧量低于0.1ppm的高纯氢气气氛中还原高纯钼酸盐或者钼的氧化物,制备高纯钼粉。采用纯钼舟皿为还原容器,避免了高纯钼粉还原过程中常用镍、镍铬系合金还原舟皿氧化所带来的铁、镍及铬等杂质;并通过控制氢气中的水蒸气和氧含量,避免了高纯钼舟在还原过程中的氧化“塌边”,大大提高了高纯钼舟的使用寿命。应用于电子、显示以及相关行业的高纯钼粉的还原方法。 | ||
搜索关键词: | 电子 高纯 还原 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子级高纯钼粉的还原制备方法,其特征在于,采用纯度≥98%的纯钼舟皿为还原物料容器,在露点低于-30℃和含氧量低于0.1ppm的高纯氢气气氛中以及在氢气还原温区为400℃~1200℃的条件下,还原高纯钼酸盐或者钼的氧化物,制备电子级高纯钼粉。
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