[发明专利]一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法无效
| 申请号： | 200710178704.8 | 申请日： | 2007-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101169937A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 于广华;刘洋;金川 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高FM/FeMn双层膜交换偏置性能的方法，属于磁记录介质领域。其特征在于，在交换偏置多层膜中，在铁磁层和铁锰FeMn反铁磁层之间引入一个铂铁锰PtFeMn插层。铂铁锰PtFeMn层通过共溅射铂Pt和铁锰FeMn的方式得到。本发明的优点在于，在铁锰FeMn作为反铁磁材料的交换偏置双层膜的被钉扎铁磁层与FeMn层的界面插入PtFeMn薄层，在FM/AFM界面制造一个铁磁性的缓冲层，在不改变现有反铁磁层材料的基础上，通过界面改性提高交换偏置多层膜的交换偏置场Hex以及热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 反铁磁 交换 偏置 双层 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法，采用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积种子层、铁磁层、铁锰反铁磁层、保护层，其特征在于，在铁磁层和铁锰反铁磁层之间沉积连续完整的铂铁锰PtFeMn插层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710178704.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
