[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710167911.3 申请日: 2007-10-26
公开(公告)号: CN101320739A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 赵容奭 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波;陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括:绝缘基板,形成于基板上的多个栅极线,多个数据线和绝缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且其间绝缘。每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝缘层形成于栅极线、数据线和漏电极上。多个像素电极形成于绝缘层上并连接至漏电极。绝缘层具有开口或沟槽,开口和沟槽布置于绝缘层的没有被像素电极覆盖的部分中。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基板;多个栅极线,形成于所述基板上,其中每个所述栅极线包括多个栅电极;多个数据线,交叉所述栅极线且与所述栅极线之间绝缘,其中每个所述数据线包括多个源电极;多个漏电极,面对所述源电极;绝缘层,形成于所述栅极线、数据线和漏电极上;以及多个像素电极,形成于所述绝缘层上并连接至所述漏电极,其中所述绝缘层具有开口或沟槽,且所述开口或沟槽设置在所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710167911.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top