[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法无效
申请号: | 200710167911.3 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101320739A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 赵容奭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波;陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括:绝缘基板,形成于基板上的多个栅极线,多个数据线和绝缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且其间绝缘。每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝缘层形成于栅极线、数据线和漏电极上。多个像素电极形成于绝缘层上并连接至漏电极。绝缘层具有开口或沟槽,开口和沟槽布置于绝缘层的没有被像素电极覆盖的部分中。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基板;多个栅极线,形成于所述基板上,其中每个所述栅极线包括多个栅电极;多个数据线,交叉所述栅极线且与所述栅极线之间绝缘,其中每个所述数据线包括多个源电极;多个漏电极,面对所述源电极;绝缘层,形成于所述栅极线、数据线和漏电极上;以及多个像素电极,形成于所述绝缘层上并连接至所述漏电极,其中所述绝缘层具有开口或沟槽,且所述开口或沟槽设置在所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的