[发明专利]真空处理装置以及真空处理方法有效
| 申请号： | 200710147779.X | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101136314A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 笠原稔大 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;B01J3/03 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空处理装置和真空处理方法，在加热由容器主体和盖体构成的角筒形处理容器时，缩小处理容器升温时容器主体和盖体间形成的缝隙。角筒形处理容器(40)由容器主体(41)、装卸自如地设在容器主体上的盖体(42)构成。在盖体顶部设有为了抑制处理容器升温时盖体及容器主体的接合部的翘曲，以盖体中央部的温度变成比处理容器侧壁角部的温度高，或者盖体中央部的温度变成比侧壁角部低的方式进行加热的第一调温单元(5A)，并在容器主体的侧壁部(41b)设有第二调温单元(5B)。通过一边控制接合部中盖体的翘曲一边加热处理容器，缩小盖体和容器主体之间的缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理装置，其特征在于，包括：角筒形处理容器，在其内部对基板进行真空处理，该角筒形处理容器具备在内部保持有基板并且一端开口的容器主体、和以封闭该容器主体的开口部的方式装卸自如地设置的盖体；调温单元，其被设置在所述盖体以及/或容器主体中与所述开口部相对的面部，用于加热该处理容器；和真空排气单元，用于对所述处理容器的内部进行真空排气，其中，所述调温单元为了在所述处理容器升温时抑制所述盖体以及容器主体的接合部的翘曲，而被设置成使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比处理容器的侧壁角部的温度高，或者使设置有所述调温单元的面部的中央部的温度比所述侧壁角部的温度略低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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