[发明专利]多阶单元存储器的编程方法有效
| 申请号： | 200710138320.3 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101354919A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 何信义;邹年凯;黄怡仁;林永丰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛宝成;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种MLC存储器的编程方法，MLC存储器包括多个位，每一位具有多个编程状态，每一编程状态具有一编程验证(PV)值。本方法包括a)使用位线偏压BL来编程存储器中具有阈值电压(Vt)值小于一预定编程状态的PV值的位；b)当存储器中所有位的Vt值皆不低于预定编程状态的PV值时，结束本方法，否则继续步骤c)；以及c)当所有编程位的Vt值皆低于PV值时，则设定BL＝BL+K1并重复步骤(a)，而当至少一编程位的Vt值不低于PV值时，则设定BL＝BL－K2并重复步骤a)其中，K1及K2为固定的正值。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多阶单元存储器的编程方法，该多阶单元存储器包括多个位，该多阶单元存储器具有多个编程状态，各所述编程状态具有一编程验证值，该方法包括：a)使用一位线偏压BL来编程该存储器中具有阈值电压值小于一预定编程状态的该PV值的位，以成为编程位，其中，该位线偏压BL值大于0；b)当该存储器中所有所述位的Vt值皆不低于该预定编程状态达到该PV值时，结束本方法，否则继续下一步骤c)；以及c)当所述编程位的Vt值皆低于该PV值时，设定BL＝BL+K1并重复该步骤a)，而当所述编程位其中至少一编程位的Vt值不低于该PV值时，设定BL＝BL-K2并重复该步骤a)，其中，K1及K2为固定的正值。
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