[发明专利]化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 200710129971.6 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101126155A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 李相;张祥来 | 申请（专利权）人： | SFA工程股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国忠清南道牙*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种化学气相沉积装置。化学气相沉积装置包括：第一气体馈入组合件区块，其耦合到处理腔室；气体馈入管道，其形成预定工艺气体注入到所述处理腔室内所通过的通道，且其一端部分地插入并耦合到所述第一气体馈入组合件区块，且所述气体馈入管道具有至少一个区域，所述区域中在所述第一气体馈入组合件区块与所述气体馈入管道之间的间隙被密封且所述气体馈入管道耦合到所述第一气体馈入组合件区块；以及第一变形吸收部分，其形成在所述第一气体馈入组合件区块和所述气体馈入管道中的至少一者中，且允许所述气体馈入管道相对于所述第一气体馈入组合件区块而相对移动，以吸收所述气体馈入管道的变形。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于：其包括：第一气体馈入组合件区块，其耦合到处理腔室；气体馈入管道，其形成预定工艺气体注入到所述处理腔室内所通过的通道，且其一端部分地插入并耦合到所述第一气体馈入组合件区块，且所述气体馈入管道具有至少一个区域，所述区域中在所述第一气体馈入组合件区块与所述气体馈入管道之间的间隙被密封且所述气体馈入管道耦合到所述第一气体馈入组合件区块；以及第一变形吸收部分，其形成在所述第一气体馈入组合件区块和所述气体馈入管道中的至少一者中，且允许所述气体馈入管道相对于所述第一气体馈入组合件区块而相对移动，以吸收所述气体馈入管道的变形。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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