[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 200710103310.6 | 申请日： | 2007-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101075477A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 川久保智弘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C7/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器。其包括：存储核心，包括多个存储单元；刷新请求产生电路，用于在预定周期内产生内部刷新请求；外部刷新输入电路，用于接收外部刷新请求；以及核心控制电路，用于响应所述内部刷新请求和所述外部刷新请求，将操作控制信号输出到所述存储核心，以执行刷新操作，以及将响应所述外部刷新请求所刷新的存储单元的数目设置为大于响应所述内部刷新请求所刷新的存储单元的数目。通过相对地增加响应一个外部刷新请求进行刷新操作的存储单元的数目，能够减少刷新所有存储单元所必须的外部刷新请求的数目。因此，能够降低将外部刷新请求提供给半导体存储器的频率，从而提高访问效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器，包括：存储核心，包括多个存储单元；刷新请求产生电路，用于以预定周期产生内部刷新请求；外部刷新输入电路，用于接收外部刷新请求；以及核心控制电路，用于响应所述内部刷新请求和所述外部刷新请求，将操作控制信号输出到所述存储核心以执行刷新操作，其中将响应所述外部刷新请求所刷新的存储单元的数目设置为大于响应所述内部刷新请求所刷新的存储单元的数目。
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