[发明专利]形成半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710102284.5 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101071769A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;元皙俊;金洛焕;宋珉宇;金元洪;朴廷珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;常桂珍 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 形成半导体器件的方法可包括利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在基底上形成第一导电金属化合物层和/或利用物理气相沉积(PVD)工艺在第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层。可形成第一导电金属化合物层和第二导电金属化合物层来减少或防止第一导电金属化合物层暴露于氧原子中，因此降低了第一导电金属化合物层的退化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、形成半导体器件的方法，包括：利用金属有机化学气相沉积工艺在基底上形成第一导电金属化合物层；利用物理气相沉积工艺在所述第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层，其中，在从形成所述第一导电金属化合物层到形成所述第二导电金属化合物层的整个过程中，将所述第一导电金属化合物层和所述第二导电金属化合物层保持在低于大气压的压力下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
