[发明专利]鉴别样品是否含有微小半导体碳纳米管束的方法无效
| 申请号： | 200710099288.2 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101308084A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 谭平恒;张俊;李桂荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/00 | 分类号： | G01N21/00;G01N21/25;G01N21/65;G01N21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种鉴别样品是否含有微小半导体碳纳米管束的方法，其特征在于，该方法包括：测试单壁碳纳米管样品的吸收光谱或者拉曼光谱；根据吸收光谱或者拉曼光谱来确定单壁碳纳米管样品中半导体碳纳米管的带隙；选择与较宽带隙半导体碳纳米管电子能级所对应激子能级相匹配的激发光来激发单壁碳纳米管样品的光致发光光谱；根据光致发光光谱中是否存在来自较窄带隙半导体碳纳米管的荧光信号来判断单壁碳纳米管样品是否含有微小半导体碳纳米管束。 | ||
| 搜索关键词： | 鉴别 样品 是否 含有 微小 半导体 纳米 管束 方法 | ||
【主权项】：
1、一种鉴别样品是否含有微小半导体碳纳米管束的方法，其特征在于，该方法包括：测试单壁碳纳米管样品的吸收光谱或者拉曼光谱；根据吸收光谱或者拉曼光谱来确定单壁碳纳米管样品中半导体碳纳米管的带隙；选择与较宽带隙半导体碳纳米管电子能级所对应激子能级相匹配的激发光来激发单壁碳纳米管样品的光致发光光谱；根据光致发光光谱中是否存在来自较窄带隙半导体碳纳米管的荧光信号来判断单壁碳纳米管样品是否含有微小半导体碳纳米管束。
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