[发明专利]一种制备碳化硅晶须增强碳化硅复合材料零件的方法无效
| 申请号： | 200710098903.8 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101037336A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 何新波;曲选辉;张勇;任淑彬;段柏华;秦明礼;汤春峰 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/81;C04B41/91 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备碳化硅晶须增强碳化硅复合材料零件的方法，属于陶瓷基复合材料及其零部件的制备技术领域。是采用粉末注射成形与先驱体转化相结合工艺制备SiCw/SiC复合材料零件。将SiC微粉和SiC晶须与所配制的粘结剂按照一定的比例混合成均匀的喂料。喂料经制粒后通过模具在注射成形机上注射成形，得到所需形状的SiCw/SiC复合材料零件成形坯。所得的SiCw/SiC复合材料零件成形坯经过热脱脂后，在1300～1500℃温度下预烧结，最后将SiCw/SiC复合材料零件置于烧结炉烧结致密化。优点在于，减少了粉末注射成形SiC陶瓷粘结剂的使用量，提高了零件的性能和尺寸精度以及生产效率，实现了复杂SiCw/SiC复合材料零件的近终形、低成本和批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 增强 复合材料 零件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备碳化硅晶须增强碳化硅复合材料零件的方法，其特征在于：采用粉末注射成形与先驱体转化相结合工艺制备SiCw/SiC复合材料零件；工艺为：将所选用的SiC微粉和SiC晶须与所配制的粘结剂在混炼机上于120℃～140℃温度下混炼1.5～2小时后成为均匀的喂料，粉末装载量为54～60体积％，喂料经制粒后在注射成形机上于140～160℃温度、100～120MPa压力下注射成形，得到所需形状的SiCw/SiC复合材料零件成形坯；所得的SiCw/SiC复合材料零件成形坯经过热脱脂后，在1300～1500℃温度下预烧结；最后将SiCw/SiC复合材料零件置于烧结炉中于1850～1950℃温度、氩气气氛保护下进行烧结，得到合格的SiCw/SiC复合材料零件。
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