[发明专利]一种二茂铁基全共轭聚芳烃超疏水薄膜及制备方法无效
| 申请号： | 200710098501.8 | 申请日： | 2007-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101045796A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 石建兵;董宇平;佟斌;支俊格;赵玮;傅环环;唐本忠 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L49/00;B05D5/08 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 100081北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于功能材料、表面化学领域，是涉及一类二茂铁基全共轭聚芳烃超疏水薄膜及其制备方法。该超疏水薄膜是由具有超支化结构的共轭聚芳烃自由沉积而形成。超支化结构的共轭聚合物是通过共轭双炔单体与共轭二茂铁基单炔单体在催化剂作用下，通过炔—炔环三聚反应而生成的。该类聚合物具有良好的溶解性，能够通过沉积的方式对物体表面进行修饰，使物体表面具有超疏水的性质，经测试，其对水的静态表面接触角大于150°。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二茂铁基全 共轭 芳烃 疏水 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1 一种二茂铁基全共轭聚芳烃超疏水薄膜及制备方法，其特征是：它是由二茂铁基全共轭超支化聚芳烃组成；通过聚合物溶解后在固体表面沉积修饰，使固体表面具有超疏水性质。
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