[发明专利]控制掩模轮廓以控制特征轮廓有效
| 申请号： | 200710096615.9 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101060080A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | C·鲁苏 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了在位于衬底上方但位于聚合物硬掩模下方的介电层中蚀刻特征的方法。衬底被置于等离子体加工室中。掩模特征被蚀刻到聚合物硬掩模中，并且非故意性地形成了颈部。在介电层蚀刻过程之前进行的等离子体处理过程可以选择性地蚀刻掉颈部。结果，在聚合物硬掩模中形成了无颈部的特征。通过所述无颈部聚合物硬掩模蚀刻到所述下面介电层中的特征具有直的轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 轮廓 特征 | ||
【主权项】：
1、用于在位于衬底上方但被设置在聚合物硬掩模下面的介电层中蚀刻特征的方法，包括：将衬底置于等离子体加工室中；在聚合物硬掩模中蚀刻掩模特征，其中所述特征是没有颈部的，包括：在硬掩模中蚀刻具有颈部的掩模特征；和对所述掩模特征进行处理以选择性蚀刻掉所述颈部；和通过聚合物硬掩模将特征蚀刻到介电层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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