[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 200710094543.4 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459043A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 姚宇;王亦磊;江思明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董立闽;李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括步骤：利用至少一步在先工艺的不同生产装置对衬底进行分别处理；分别检测各所述在先工艺中利用所述不同生产装置得到的结果；将至少一步在先工艺的不同生产装置进行分别组合；得到不同生产装置组合下的各种组合工艺结果；根据所述各种组合工艺结果分别确定在不同生产装置组合下后续工艺所适用的工艺条件。本发明的半导体器件的制作方法，将在先工艺所用的生产装置与后续工艺中所用的生产装置的不同特点结合起来进行综合考虑，提高了半导体制作过程中对各步工艺的控制力及工艺结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：利用至少一步在先工艺的不同生产装置对衬底进行分别处理；分别检测各所述在先工艺中利用所述不同生产装置得到的结果；根据所述结果分别确定在先工艺的不同生产装置下后续工艺所适用的工艺条件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094543.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
