[发明专利]具有扩展性的RFCMOS模型的参数计算方法有效
| 申请号： | 200710094514.8 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101458722A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 武洁;李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有扩展性的RFCMOS模型的参数计算方法，该模型是在BSIM3v3模型中的MOS场效应管的基础上增加了支电路，所述支电路包括栅极的寄生电阻、源极的寄生电阻、漏极的寄生电阻和衬底网络，所述衬底网络包括源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻，所述栅极的寄生电阻和组成衬底网络的各元件均由可变参数计算得出，所述可变参数至少包括晶体管沟道长度、沟道宽度或并联栅极数中的一个。本发明不仅提高了模型精度，还有效地实现了模型的可扩展性，有效降低射频电路的设计成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩展性 rfcmos 模型 参数 计算方法 | ||
【主权项】：
1. 一种RFCMOS模型的参数计算方法，所述RFCMOS模型在BSIM3v3模型中的MOS场效应管的基础上增加了支电路，所述支电路包括栅极的寄生电阻、源极的寄生电阻、漏极的寄生电阻和衬底网络，所述衬底网络包括源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻，其特征是：所述栅极的寄生电阻、源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻均由可变参数计算得出，所述可变参数至少包括晶体管沟道长度、沟道宽度或并联栅极数中的一个。
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