[发明专利]浅沟槽隔离区及其形成方法无效
| 申请号： | 200710094496.3 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459110A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 何永根;刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离区形成方法，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；形成覆盖所述浅沟槽的侧壁氧化层；对所述侧壁氧化层执行氮化操作；形成隔离层，所述隔离层覆盖经历所述氮化操作的侧壁氧化层并填充所述浅沟槽，以形成浅沟槽隔离区。可在形成所述浅沟槽隔离区的过程中减少所述浅沟槽侧壁损伤。一种浅沟槽隔离区，包含形成于半导体基底内的浅沟槽、覆盖所述浅沟槽的侧壁氧化层及覆盖所述侧壁氧化层并填充所述浅沟槽的隔离层；所述侧壁氧化层内具有氮分布。其内的浅沟槽侧壁在形成所述浅沟槽隔离区的过程中不易受损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；形成覆盖所述浅沟槽的侧壁氧化层；对所述侧壁氧化层执行氮化操作；形成隔离层，所述隔离层覆盖经历所述氮化操作的侧壁氧化层并填充所述浅沟槽，以形成浅沟槽隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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