[发明专利]自对准接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200710094368.9 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452905A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王函;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔层间膜，该接触孔层间膜的制作方法以及本发明的接触孔层间膜上刻蚀接触孔的方法。接触孔层间膜包括自下往上依次为掺杂的氧化硅玻璃和保护氧化膜的两个膜层。制作接触孔层间膜制作方法，在前道工艺完成之后包括两步，1.在硅片上淀积磷硅玻璃；2.在磷硅玻璃上淀积一层保护氧化膜。在本发明的层间膜上刻蚀接触孔的方法将待刻蚀衬底上区分花苞状图形稀疏和密集的区域，针对不同的区域采用不同的刻蚀工艺，不仅使得接触孔能完全打开，而且也兼顾接触孔电阻、击穿电压和漏电性能等工艺电参数。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 孔层间膜 制作方法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种自对准接触孔层间膜，其特征在于，从下往上依次包含两个层面，第一层为掺杂的氧化硅玻璃，第二层为保护氧化膜。
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