[发明专利]接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200710094345.8 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452909A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王函;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔层间膜，该接触孔层间膜的制作方法以及本发明的接触孔层间膜上刻蚀接触孔的方法。接触孔层间膜从下往上依次为未掺杂氧化膜层、磷硅玻璃层和保护氧化膜。制作接触孔层间膜制作方法，在前道工艺完成之后包括三步，1.在硅片上淀积一层未掺杂氧化膜；2.在未掺杂氧化膜上淀积一层磷硅玻璃，并对该磷硅玻璃进行化学机械抛光；3.在磷硅玻璃上淀积一层保护氧化膜。在上述接触孔层间膜上刻蚀接触孔采用磷硅玻璃对未掺杂氧化膜的选择比大于20∶1的干法刻蚀。本发明的层间膜制作方法制成的接触孔层间膜以及在这种层间膜上刻蚀接触孔的方法可以提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 孔层间膜 制作方法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种接触孔层间膜，其特征在于，从下往上依次包含三个层面，第一层为未掺杂氧化膜，第二层为磷硅玻璃，第三层为保护氧化膜。
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