[发明专利]测量曝光机台焦距偏移量的方法有效
| 申请号： | 200710094288.3 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101446767A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;罗啸;陈雄斌;熊涛;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量曝光机台焦距偏移量的方法，包括如下步骤：(1)在曝光机台正常工作的状态下，对硅片进行曝光，得到第一次曝光图形；(2)用和硅片运动平台倾斜的入射光对步骤(1)中得到的硅片进行第二次曝光，得到第二次曝光图形；(3)测量两次曝光图形的偏移量，去除机台本身的偏移量，并结合光的倾斜度，计算出曝光机台焦距的偏移量。本发明的方法，实现了准确测量曝光机台焦距的偏移量。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 曝光 机台 焦距 偏移 方法 | ||
【主权项】：
1、一种测量曝光机台焦距偏移量的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在曝光机台正常工作的状态下，对硅片进行曝光，得到第一次曝光图形；(2)用对与硅片运动平台倾斜的入射光对步骤(1)中得到的硅片进行第二次曝光，得到第二次曝光图形；(3)测量两次曝光图形的偏移量，去除机台本身的偏移量，结合光的倾斜度，计算出曝光机台焦距的偏移量。
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