[发明专利]多叉指型MOSFET结构无效
| 申请号： | 200710094269.0 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442045A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 田光春 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多叉指型MOSFET结构，在多叉指型MOSFET的源、漏两端并联二极管，主静电泄放电流正向流过该二极管。本发明能有效降低主静电泄放通路上的总电阻，控制主静电泄放电流通路上的总电阻小于辅静电泄放电流通路上的总电阻，避免辅静电泄放电流通路上的静电保护能力较弱的保护器件PMOS或NMOS较早失效，从而保证整个静电泄放网络的静电保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 多叉指型 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
1、一种多叉指型MOSFET结构，其特征在于：在多叉指型MOSFET的源、漏两端并联二极管，主静电泄放电流正向流过该二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
