[发明专利]制作半导体晶体管元件的方法无效
| 申请号： | 200710089776.5 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276758A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李坤宪;黄正同;丁世汎;郑礼贤;洪文瀚;郑子铭;梁佳文 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法。提供半导体基底；在半导体基底上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成栅极；在该栅极的侧壁上形成衬垫层；在衬垫层上形成氮化硅间隙壁；对半导体基底进行漏极/源极离子注入工艺，由此在栅极两侧形成漏极/源极区域；接着，去除氮化硅间隙壁；然后，在漏极/源极区域上形成硅化金属层；接着，在衬垫层及硅化金属层上沉积盖层，该盖层与该衬垫层直接接壤，且该盖层具有特定的应力状态。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 晶体管 元件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，包含有：提供半导体基底；在该半导体基底上形成栅极介电层；在该栅极介电层上形成栅极，该栅极具有侧壁及上表面；在该栅极的该侧壁上形成衬垫层；在该衬垫层上形成氮化硅间隙壁；利用该栅极以及该氮化硅间隙壁作为注入掩模，对该半导体基底进行漏极/源极离子注入工艺，由此于该栅极两侧形成漏极/源极区域；去除该氮化硅间隙壁；以及去除该氮化硅间隙壁之后，在该漏极/源极区域上形成一硅化金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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