[发明专利]吸收方法和使用所述吸收方法的晶片

摘要

一种用于制造具有用于去除杂质的活性层的半导体晶片结构的方法，其中所述方法包括以下阶段：将第一层沉积到第一晶片表面上，用以提供活性层；为下一个阶段对所述第一层进行准备的可选阶段；在第二晶片上生长出热氧化物层；将所述第一和第二晶片粘接成一叠片；对所述叠片进行退火，以在所述热氧化物层中进行晶体成形作为第二层；以及将所述第一晶片减薄成预定厚度。本发明还涉及根据所述方法制造的晶片、使用这种晶片结构的芯片以及使用这种芯片的电子器件。

主权项

1.一种用于制造半导体晶片结构的方法，其中所述半导体晶片结构具有用于从半导体材料吸收运动的杂质物质和成谅解/或除去杂质引入的缺陷的活性层，其特征在于，所述方法包括：-将第一层沉积到第一晶片表面上以提供活性层，所述活性层用于提供设置用于对运动的杂质物质提供收集场所的吸收层；-为下一个阶段对所述第一层进行准备的可选阶段；-在第二晶片上生长出氧化物层；-将所述第一和第二晶片粘接成晶片叠片；以及-将所述第一晶片减薄成预定厚度。