[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710087967.8 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101022132A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 入泽寿史;沼田敏典;高木信一;杉山直治 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其中包括在多个表面上具有沟道的多栅极MIS晶体管，在绝缘膜(12)上的沿给定方向形成的岛状半导体层(21)的侧表面上的栅极绝缘薄膜(23)上形成栅电极(24)，并且形成源电极/漏电极(27a、27b)使其与半导体层(21)接触。半导体层(21)沿给定方向具有多个侧表面。由相邻的侧表面形成的所有的角均大于90°。垂直于给定方向的截面为垂直和水平对称。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于包括：半导体层(21)，其沿给定方向在绝缘膜(12)上形成为岛状并且沿所述给定方向具有多个侧表面，由相邻的所述侧表面形成的所有的角均大于90°，并且该半导体层(21)垂直于所述给定方向的截面为垂直和水平对称；形成在所述侧表面上的用作沟道的区域上的栅极绝缘膜(23)；形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极(24)；以及形成为与所述半导体层(21)接触的源电极和漏电极(27a、27b)，所述栅电极(24)设置在所述源电极和漏电极(27a、27b)之间。
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