[发明专利]带有闩锁抑制的可调节晶体管衬底偏置发生电路有效
| 申请号： | 200710084732.3 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101034882A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | S·佩里塞地 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H03K3/00 | 分类号： | H03K3/00;H03K3/037;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了带有衬底偏置或体偏置发生电路的集成电路。衬底偏置发生电路产生衬底偏置信号，其施加到衬底偏置路径上的晶体管。衬底偏置发生电路包括有源闩锁抑制电路，当潜在的闩锁状态检测出来时，其箝位衬底偏置路径处于安全电压。衬底偏置电路产生的衬底偏置信号电平是可调的。通过使用p沟道控制晶体管，衬底偏置发生电路调节衬底偏置路径上的衬底偏置电压。隔离晶体管耦合在p沟道控制晶体管和衬底偏置路径之间。在潜在闩锁状态期间，隔离晶体管被断开来隔离衬底偏置路径和地。控制电路调节衬底偏置电压，衬底偏置电压被施加到p沟道控制晶体管和隔离晶体管中的衬底端。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 抑制 调节 晶体管 衬底 偏置 发生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路包括：p沟道金属氧化物半导体晶体管，每一个晶体管都带有衬底端，所述衬底端通过衬底偏置路径来接收衬底偏置信号；和可调节p沟道金属氧化物半导体衬底偏置发生电路，其提供所述衬底偏置信号到所述衬底偏置路径，其中所述可调节p沟道金属氧化物半导体衬底偏置发生电路包括：p沟道控制晶体管，其耦合在上升电源端和所述衬底偏置路径之间；和有源闩锁抑制电路，其连接到所述衬底偏置路径来防止所述p沟道金属氧化物半导体晶体管闩锁。
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