[发明专利]形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的蚀刻方法无效
| 申请号： | 200710079960.1 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101064244A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 沈美华;鲁维勒科;金关善;王希昆;刘伟;斯科特·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了在蚀刻工艺中用于对高孔径比应用形成各向异性特征图形的方法。这里所述的方法的优势在于通过侧壁钝化管理方案方便对具有高孔径比的特征图形进行轮廓以及尺寸控制。在一实施方式中，通过在蚀刻层的侧壁和/或底部上选择性形成氧化钝化层来管理侧壁钝化。在另一实施方式中，通过周期性清除过多的重复沉积层而管理侧壁钝化从而在其上保持平坦而均匀的钝化层。该平坦而均匀的钝化允许以在衬底上的高和低特征图形密度区域中保持所需深度和特征尺寸的垂直剖面的方式逐渐蚀刻具有高孔径比的特征图形，同时不产生缺陷和/或过蚀刻下层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 孔径 应用 各向异性 特征 图形 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于各向异性蚀刻具有高孔径比的衬底层的方法，该方法包括：(a)在蚀刻腔室中放置其上设置有层的衬底；(b)在蚀刻腔室中蚀刻衬底上的层的至少一部分；(c)在所述蚀刻层上形成氧化层；并且(d)在蚀刻腔室中蚀刻未受到氧化层保护的蚀刻层的暴露部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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