[发明专利]开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法有效
| 申请号： | 200710079914.1 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101026114A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈国香;雷明达;王永智;黄加星 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法，适用于检测一集成电路内的一开口，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；于该介电层内形成一开口；将该基底接地；利用一扫描型电子显微镜扫描该基底，以产生一电压对比影像；判定该开口内的该电压对比影像的一灰阶；以及采用该灰阶以判定位于该开口内底部的该介电层的剩余厚度。本发明所述的开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法，可判定介层物/接触物开口的剩余厚度，精准地调整蚀刻接触蚀刻停止层的蚀刻程序。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 底部 薄膜 剩余 厚度 判别 方法 | ||
【主权项】：
1.一种开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法，其特征在于，适用于检测一集成电路内的一开口，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；于该介电层内形成一开口；将该基底接地；利用一扫描型电子显微镜扫描该基底，以产生一电压对比影像；判定该开口内的该电压对比影像的一灰阶；以及采用该灰阶以判定位于该开口内底部的该介电层的剩余厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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