[发明专利]半导体元件的制造方法及其半导体元件

摘要

本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及其半导体元件。其提供一种填充内连线介层窗的铝基质导体，及藉由此铝基质导体所形成的半导体元件。半导体元件包括有第一介电层。其中介电层具有截面面积实质小于1μm²的开口形成于其中，以及填充于开口中的物理气相沉积铝基质导体。本发明的半导体元件的制造方法使半导体元件同时具有复数个铝基质介层窗插塞，以及晶粒尺寸与铝基质介层窗插塞相同的铝基质导电层，而能够构成可以改善半导体元件导体电阻劣化问题的堆叠金属垫。本发明的半导体元件，可同时具有复数个铝基质介层窗插塞以及晶粒尺寸与铝基质介层窗插塞相同的铝基质导电层，而可以改善半导体元件导体电阻劣化的问题。

主权项

1、一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一第一介电层，该介电层具有复数个开口贯穿该介电层；形成复数个第一插塞部，其中每一该些第一插塞部是形成于位在该第一介电层中的该些开口的其中之一者中，包括沉积包含有铝的一第一金属至位于第一介电层中的每一该些开口，其中该第一金属具有一第一晶粒尺寸；以及形成一第一内连线部分，包括在每一该些第一插塞部上，沉积包括有铝的一第二金属，其中该第二金属具有一第二晶粒尺寸，且该第一晶粒粒尺寸是实质小于该第二晶粒尺寸。